QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 北京韞茂科技有限公司
- 品牌其他品牌
- 型號QBT-A
- 所在地廈門市
- 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
- 更新時間2025/6/20 9:02:25
- 訪問次數(shù) 1479
產(chǎn)品標(biāo)簽
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ALD，PVD，CVD，EPI，原子層沉積設(shè)備，磁控濺射，電子束蒸發(fā)鍍膜，熱蒸發(fā)鍍銦設(shè)備，等離子體增強原子層沉積，碳化硅外延設(shè)備
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 100萬-150萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
一、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)核心參數(shù)：
價格區(qū)間：100萬-200萬
產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）
襯底尺寸：Ф200mm
工藝溫度：RT-500±1ºC
前驅(qū)體數(shù)：最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均勻性：均一性<1%
二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應(yīng)用原理分析：
原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價格、型號、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號為QBT-A，價格為100萬-200萬RMB，更多相關(guān)信息可咨詢，公司客服電話7*24小時為您服務(wù)。
四、主要技術(shù)參數(shù)：
價格區(qū)間：100萬-200萬
產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）
襯底尺寸：Ф200mm
工藝溫度：RT-500±1ºC
前驅(qū)體數(shù)：最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均勻性：均一性<1%
二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應(yīng)用原理分析：
原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價格、型號、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號為QBT-A，價格為100萬-200萬RMB，更多相關(guān)信息可咨詢，公司客服電話7*24小時為您服務(wù)。
四、主要技術(shù)參數(shù)：
五、測試結(jié)果展示：
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