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AT810 經(jīng)濟(jì)性原子層沉積設(shè)備
- 公司名稱 德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)有限公司
- 品牌 ANRIC
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/8/14 14:34:13
- 訪問(wèn)次數(shù) 476
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| 價(jià)格區(qū)間 | 50萬(wàn)-100萬(wàn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,航空航天,汽車(chē)及零部件,電氣,綜合 |
|---|
AT810 經(jīng)濟(jì)性原子層沉積設(shè)備臺(tái)式系統(tǒng)占地面積小
采用半導(dǎo)體級(jí)金屬密封管路以及兼容高溫的快速脈沖原子層沉積(ALD)閥。
用于集成惰性氣體吹掃的超快速質(zhì)量流量控制器(MFC)。
6 英寸圓形卡盤(pán)(最大適配 7 英寸方形),可針對(duì)更小尺寸或其他形狀(高 11 毫米)定制。
3 種有機(jī)金屬前驅(qū)體和 2 種(最多 3 種 )反反應(yīng)物。
全程加熱管路(從前驅(qū)體到反應(yīng)腔室 )。
全半導(dǎo)體級(jí)鋁制腔室,溫度范圍最高可達(dá) 300℃
7 英寸觸摸屏可編程邏輯控制器(PLC),無(wú)需個(gè)人電腦(PC)。
特征
· 占地面積小的桌面系統(tǒng),兼容潔凈室。
· 全鋁(半導(dǎo)體級(jí))腔室 - 溫度高達(dá) 300°C
· 高溫半導(dǎo)體級(jí)快速脈沖 ALD 閥,帶有超快 MFC,用于集成惰性氣體吹掃。
· 8 英寸圓卡盤(pán)可定制為較小尺寸或其他形狀。
· 流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室容積
· 3 種有機(jī)金屬前體和 2 種(最多 3 種)反反應(yīng)物。
前體可以加熱到 150°C。
· 整個(gè)加熱管線(從前體到腔室)。
· 系統(tǒng)維護(hù)簡(jiǎn)單,市場(chǎng)上公用事業(yè)和前體使用量
· 高曝光(用于溝槽和多孔基材)和靜態(tài)處理模式
· 7 英寸觸摸屏 PLC 控制器(無(wú)需 PC)
規(guī)格
· 室溫從室溫到 300°C ± 1°C
· 前驅(qū)體溫度從室溫到 150°C ± 2°C(帶加熱夾套)
· 市場(chǎng)上占地面積最小,臺(tái)式安裝和潔凈室兼容
· 系統(tǒng)維護(hù)簡(jiǎn)單,市場(chǎng)上公用事業(yè)和前體使用量
· 流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室容積
· 快速循環(huán)能力和高曝光,可進(jìn)行深度滲透處理
· 從前體到腔室的所有金屬都是密封的。
· 典型工作壓力
· 全硬件和軟件聯(lián)鎖,可在多用戶環(huán)境中安全運(yùn)行
· 110 – 220 VAC,單相,50/60Hz,15 安培(220V 為 10A)
· 重量約 100 磅(45 公斤)
選件
· 定制卡盤(pán)/壓板(方形、小件壓痕、粉末)
· 定制腔室(更厚的基板)
· ATOzone – 臭氧發(fā)生器(某些薄膜需要:Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高質(zhì)量 Al2O3、高質(zhì)量 HfO2)
可選 – 臭氧安全監(jiān)測(cè)器,可實(shí)時(shí)檢測(cè)環(huán)境臭氧氣體
· QCM(石英晶體微量天平)
· 手套箱集成(通常要求不將基材暴露在潮濕環(huán)境中;硫化物等。
· 外部控制 – PC/軟件鏈接(允許遠(yuǎn)程編程和運(yùn)行)
· 通風(fēng)前驅(qū)體柜
· 備用室
· IGPA(惰性氣體壓力輔助)用于低蒸氣壓前驅(qū)體
· 前驅(qū)體溫度更高(至 180°C)
· 第三反反應(yīng)物
第三對(duì)反應(yīng)物的軟件控制
安裝
有關(guān)詳細(xì)說(shuō)明,請(qǐng)參閱我們的演示和視頻說(shuō)明:“AT810 安裝和啟動(dòng) ”
N2 吹掃氣體應(yīng)為 >99.9995%,帶截止閥(調(diào)節(jié)至 10 – 30 psi,金屬密封)。
輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭
通過(guò) 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮?dú)?(UHP) 吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來(lái)
通過(guò) 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA(清潔干燥空氣)連接到另一個(gè)標(biāo)有 CDA(清潔干燥空氣)的 1/4 英寸壓縮接頭
最小 19.5cfm 濕泵(**需要 PTFE 真空流體(如 Fomblin))
NW25 (KF25) (1“) 連接和排氣管(帶 5cfm >拉)
大于 1 米應(yīng)使用 NW40 (1.5“) 排氣管
前驅(qū)體通過(guò)內(nèi)螺紋 VCR 彎頭連接(始終使用新墊圈)
彎頭:1/4“ 墊圈先(戴手套)
有關(guān)前體連接,請(qǐng)參閱“AT810 工具和軟件”。

軟件
AT810 經(jīng)濟(jì)性原子層沉積設(shè)備有關(guān)詳細(xì)說(shuō)明,請(qǐng)參閱我們的演示和視頻說(shuō)明:“AT810 安裝和啟動(dòng) ”
輸入子周期和總周期
人機(jī)界面 (HMI) PLC 系統(tǒng),帶 7 英寸觸摸屏面板
適用于標(biāo)準(zhǔn) ALD 循環(huán)沉積的高級(jí)控制,如納米層壓板、摻雜薄膜和三元薄膜
用于高質(zhì)量、經(jīng)過(guò)測(cè)試的工藝的配方數(shù)據(jù)庫(kù)
自定義配方輸入屏幕
實(shí)時(shí)顯示工藝狀態(tài)
可單獨(dú)編程的加熱源溫度
用于三元化合物和納米層壓板的內(nèi)置脈沖序列
快速運(yùn)行,簡(jiǎn)單的問(wèn)題讓用戶開(kāi)始






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