Omniscan X3 Series EPOCH便攜式超聲探傷儀
- 公司名稱 西屋制動檢測技術(shù)(北京)有限責(zé)任公司
- 品牌 EVIDENT
- 型號 Omniscan X3 Series
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2026/1/16 9:57:11
- 訪問次數(shù) 183
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 數(shù)字式 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
EPOCH便攜式超聲探傷儀 Omniscan X3 Series
提供創(chuàng)新型TFM功能的OmniScanX3相控陣探傷儀
信心滿滿,昭然可見
OmniScanX3相控陣探傷儀是一個完備的相控陣工具箱。其性能強大的工具,包括全聚焦方式(TFM)成像和高級可視化能力,在其高質(zhì)量成像功能的支持下,可使您更加充滿信心地完成檢測。
提供高級功能的OmniScanX364相控陣和TFM探傷儀
威力強大,小巧便攜
OmniScanX364相控陣探傷儀沿用了已經(jīng)現(xiàn)場驗證、堅固耐用、輕盈便攜的OmniScanX3外殼,其強大的聚焦功能得到了更大的晶片孔徑容量的支持,可使您充分利用64晶片相控陣探頭,進行128晶片孔徑的TFM檢測。您可以利用這款儀器的增強性能,迎接檢測較厚、衰減性較強材料的挑戰(zhàn),并提升您的潛力,為更廣泛的應(yīng)用開發(fā)新程序。
受益于64晶片脈沖發(fā)生器相控陣技術(shù)
使用OmniScanX364探傷儀可以充分發(fā)揮64晶片相控陣探頭的潛力,提高焦點處的分辨率。
向右滑動:使用32通道OmniScanX3探傷儀和64晶片探頭(5L64-A32型號)獲得的圖像。雖然這個S掃描是高質(zhì)量圖像,但是其分辨率反映了以下事實:只有中間32個晶片可用于聚焦法則。
向左滑動:OmniScanX364探傷儀使用一個全部64晶片孔徑(5L64-A32探頭)獲得的圖像,在焦點處提供了更好的PA分辨率,可使您更輕松地分辨出靠在一起或聚集成簇的缺陷指示。
實現(xiàn)全部128晶片孔徑TFM(全聚焦方式)
新一代電子設(shè)備使TFM成像成為可能,TFM成像可為更小的缺陷指示提供更好的聚焦能力,并改善了信噪比(SNR)。OmniScanX364型號提供128晶片孔徑的能力,增強了圖像清晰度。
向右滑動:該TFM圖像使用OmniScanX332通道型號和一個128晶片探頭(3.5L128-I4型號)的64個晶片獲得。
向左滑動:OmniScanX364探傷儀可使我們使用我們的3.5MHz、128晶片I4探頭的全部128晶片孔徑采集這張圖像。請注意這張圖像提高的分辨率和降低的背景噪音。
實現(xiàn)速度高達4倍的TFM(全聚焦方式)
使用64晶片探頭時,TFM(全聚焦方式)的采集速度可最多提高到4倍。與擁有32個脈沖發(fā)生器的型號相比,OmniScanX364探傷儀得益于其更大的孔徑能力,使檢測效率有了顯著的提高。
改進的相控陣技術(shù)
速度可達到OmniScanMX2探傷儀的3倍(最大脈沖重復(fù)頻率)
單獨的衍射時差(TOFD)菜單,加快了校準工作流程
800%的高波幅范圍,減少了重新掃查的需要
機載雙晶線陣和雙晶矩陣探頭的支持性能,加速了創(chuàng)建設(shè)置的過程
使用相控陣技術(shù)簡化了腐蝕監(jiān)測
利用相控陣技術(shù)進行腐蝕檢測具有很多優(yōu)勢,其中包括較大的覆蓋范圍和出色的分辨率。但是,熟練掌握相控陣技術(shù)具有一定的挑戰(zhàn)性。OmniScanX3探傷儀通過精心設(shè)計的軟件和簡單流暢的菜單將各種高級功能(閘門同步)組合在一起,可使您更加輕松地獲得準確的數(shù)據(jù)。得益于其A掃描同步處理和手動時間校正增益(TCG),您可以快速配置您的設(shè)置。
EPOCH便攜式超聲探傷儀 OmniScan X3系列
| 型號 | OmniScan X3 | OmniScan X3 64 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 配置 | 16:64PR | 16:128PR | 32:128PR | 64:128PR | |
| 應(yīng)用 | 腐蝕監(jiān)測、管道完整性、手動PA/TFM、TOFD、小型管道 | 多組高效薄焊縫、PA & TOFD、風(fēng)力葉片制造、復(fù)合材料 | 多組高效厚焊縫、PA & TOFD、奧氏體/CRA/異種金屬焊縫、TFM | 多組高效極厚焊縫、PA和TOFD、奧氏體/CRA/異種金屬焊縫、高效TFM、高溫氫致腐蝕(HTHA)、高級應(yīng)用開發(fā) | |
| 脈沖發(fā)生器(PA) | 16 | 16 | 32 | 64 | |
| 接收器 | 64 | 128 | 128 | 128 | |
| TFM晶片 | 32 | 32 | 64 | 128 | |
| UT通道(P/R) | 2 | 2 | 2 | 2 | |
| 組 | 最多2個(PA、UT/TOFD、TFM) 或2個PA帶1個TOFD | 總共最多8個 TFM:最多4個 | 總共最多8個 TFM:最多4個 | 總共最多8個 TFM:最多4個 | |
| 帶寬頻率 | 0.5 ~ 18 MHz | 0.2 MHz ~ 26.5 MHz | |||
| 最大脈沖寬度(PA) | 500 ns | 1000 ns | |||
| 電壓PA | 40 V、80 V和115 V / 單極負極 | 10 Vpp、20 Vpp、40 Vpp、80 Vpp、120 Vpp和160 Vpp / 雙極方波脈沖 | |||
| 內(nèi)部SSD存儲容量 | 64 GB | 1 TB | |||
| 所有其他功能和規(guī)格 | 相同 | ||||



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