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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

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  • 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2025/12/4 11:01:24
  • 訪問次數(shù) 215

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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區(qū)的代理??祁9疽回灡小赫\信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化,為廣大中國用戶提供儀器、設(shè)備,周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發(fā)展的中國,納米科學(xué)研究、薄膜材料(包括半導(dǎo)體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā)、有機(jī)高分子合成等等領(lǐng)域,都需要與歐美發(fā)達(dá)國家*接軌的儀器設(shè)備平臺來實(shí)現(xiàn)。科睿設(shè)備有限公司有幸成長在這個(gè)火熱的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國香港,在中國上海設(shè)立了分公司,在國內(nèi)多個(gè)城市設(shè)立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù)。2010年,科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉庫及維修中心,同時(shí)提供在大陸的各項(xiàng)技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù),我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員,并且都曾到國外廠家進(jìn)行了專門的培訓(xùn)。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時(shí)電話響應(yīng),72小時(shí)內(nèi)趕到現(xiàn)場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務(wù)!
      因?yàn)樾湃?所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國內(nèi)眾多科研院所和大學(xué)根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng),主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導(dǎo)體所,中科院大連化學(xué)物理研究所,國家納米中心,上海納米中心,北京大學(xué),清華大學(xué),中國科技大學(xué),南京大學(xué),復(fù)旦大學(xué),上海交通大學(xué),華東理工大學(xué),浙江大學(xué),中山大學(xué),西安交通大學(xué),四川大學(xué),中國工程物理研究院,香港大學(xué),香港城市大學(xué),香港中文大學(xué),香港科技大學(xué)等。



光刻機(jī),鍍膜機(jī),磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測試系統(tǒng)

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合

PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).
我司按照客戶不同的應(yīng)用需求,提供高質(zhì)量的PECVD滿足不同的研究生產(chǎn)需求。
我司提供的PECVD系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。最大沉積尺寸為12英寸。
通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。
部分PECVD可以升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)。



等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)參數(shù):
腔體極限真空度:10-7 torr;
等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰較高密度等離子體源(HCD)、感應(yīng)耦合等離子體源(ICP)或微波等離子體源, VHF(甚高頻)電源
襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑
帶RF偏壓的襯底托;
加熱溫度:最高800°C;
最高可達(dá)8路MFC和多樣化的氣體選擇;
均勻性:≤±3%;
預(yù)抽真空室和自動晶片裝卸門;
全自動控制;


應(yīng)用領(lǐng)域:
等離子誘導(dǎo)表面改性;
等離子清洗;
等離子聚合;
SiO2, Si3N4, DLC及其它薄膜;
碳納米管(CNT)的選擇性生長。



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