陶瓷基板LED封裝用納米高純氧化鋁粉陶瓷基板LED封裝用納米高純氧化鋁粉

日本大明化學TM-DAR氧化鋁粉是高純度納米級粉體，純度達99.99%以上，一次粒徑0.1μm，雜質(zhì)含量極低；具備低溫燒結特性，燒結溫度1200-1250℃，燒結密度可達3.96g/cm3（理論密度98%以上）；適用于精密陶瓷、透明陶瓷、LED基板、生物陶瓷（、牙齒）、高強度材料（切削工具、軸承）等領域，技術基于NH?AlCO?(OH)?合成工藝，性能穩(wěn)定，性價比高。

核心特點與應用：

高純度與粒徑：純度≥99.99%，雜質(zhì)如Fe、Na≤3ppm；一次粒徑0.1μm，顆粒分布均勻，提升陶瓷微觀結構一致性。

低溫燒結性能：燒結溫度1200-1250℃，密度高，降低能源消耗和生產(chǎn)成本，縮短周期

日本大明化學TM-DAR氧化鋁粉是高純度納米級粉體，純度達99.99%以上，一次粒徑0.1μm，雜質(zhì)含量極低；具備低溫燒結特性，燒結溫度1200-1250℃，燒結密度可達3.96g/cm3（理論密度98%以上）；適用于精密陶瓷、透明陶瓷、LED基板、生物陶瓷（、牙齒）、高強度材料（切削工具、軸承）等領域，技術基于NH?AlCO?(OH)?合成工藝，性能穩(wěn)定，性價比高。

核心特點與應用：

高純度與粒徑：純度≥99.99%，雜質(zhì)如Fe、Na≤3ppm；一次粒徑0.1μm，顆粒分布均勻，提升陶瓷微觀結構一致性。

低溫燒結性能：燒結溫度1200-1250℃，密度高，降低能源消耗和生產(chǎn)成本，縮短周期

日本大明化學TM-DAR氧化鋁粉是高純度納米級粉體，純度達99.99%以上，一次粒徑0.1μm，雜質(zhì)含量極低；具備低溫燒結特性，燒結溫度1200-1250℃，燒結密度可達3.96g/cm3（理論密度98%以上）；適用于精密陶瓷、透明陶瓷、LED基板、生物陶瓷齒）、高強度材料（切削工具、軸承）等領域，技術基于NH?AlCO?(OH)?合成工藝，性能穩(wěn)定，性價比高。

核心特點與應用：

高純度與粒徑：純度≥99.99%，雜質(zhì)如Fe、Na≤3ppm；一次粒徑0.1μm，顆粒分布均勻，提升陶瓷微觀結構一致性。

低溫燒結性能：燒結溫度1200-1250℃，密度高，降低能源消耗和生產(chǎn)成本，縮短周期

日本大明化學TM-DAR氧化鋁粉是高純度納米級粉體，純度達99.99%以上，一次粒徑0.1μm，雜質(zhì)含量極低；具備低溫燒結特性，燒結溫度1200-1250℃，燒結密度可達3.96g/cm3（理論密度98%以上）；適用于精密陶瓷、透明陶瓷、LED基板、生物陶瓷）、高強度材料（切削工具、軸承）等領域，技術基于NH?AlCO?(OH)?合成工藝，性能穩(wěn)定，性價比高。

核心特點與應用：

高純度與粒徑：純度≥99.99%，雜質(zhì)如Fe、Na≤3ppm；一次粒徑0.1μm，顆粒分布均勻，提升陶瓷微觀結構一致性。

低溫燒結性能：燒結溫度1200-1250℃，密度高，降低能源消耗和生產(chǎn)成本，縮短周期