薄膜分析儀
- 公司名稱 林賽斯（上海）科學儀器有限公司
- 品牌 LINSEIS/林賽斯
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2026/2/6 16:28:09
- 訪問次數(shù) 138
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德國LINSEIS公司是專業(yè)研發(fā)和制造熱分析儀器生產商，總部位于德國巴伐利亞州澤爾布。自1957年成立至今，德國LINSEIS一直致力于研發(fā)生產熱分析及熱物性設備，為全球廣大用戶提供熱分析領域解決方案。
林賽斯（上海）科學儀器有限公司主要服務于廣大中國區(qū)用戶，提供LINSEIS熱分析儀器售前、銷售及售后全方面服務。為更好的響應客戶需求，目前在北京、上海、香港均設有服務機構，已形成了立足京滬、橫跨南北、覆蓋全國的服務體系。位于北京的應用實驗室，及與高校研究院成立的聯(lián)合實驗室均能更進一步與廣大用戶共同探討熱分析應用方面的解決方案。
LINSEIS除了提供全線熱分析標準設備（差示掃描量熱儀、熱天平、同步熱分析儀、熱膨脹儀、熱膨脹相變儀、熱機械分析儀、導熱測試儀、激光導熱儀、熱電材料測試儀、塞貝克/電阻分析儀、熱界面材料測量系統(tǒng)、熱質聯(lián)用儀等），還提供為客戶量身定制的熱分析測量設備。LINSEIS寬廣的測量響應條件（-263 至 2800℃，最高350bar）可廣泛應用于聚合物、化工、金屬/合金、陶瓷/玻璃/建材、熱電材料、核工業(yè)、航空航天等領域。
熱擴散/導熱系數(shù)測試儀，熱膨脹儀，薄膜物性分析儀，同步熱分析儀，熱重分析儀，差示掃描量熱儀，熱機械分析儀，塞貝克系數(shù)測定儀
| 應用領域 | 綜合 |
|---|
新型林賽斯 薄膜分析儀 TFA L59 設備可用于表征薄膜的物理特性，它是一個高度集成且易于使用的測量平臺。
TFA L59 薄膜分析儀 基本配置包括一個測量芯片（樣品可以輕松地沉積在其上面）以及一個用于提供所需環(huán)境條件的測量腔室。根據(jù)應用的不同，該配置可與鎖相放大器和 / 或強電磁體配合使用。測量通常在高真空條件下進行，并且在測量過程中，利用液氮（LN2）和功率強勁的加熱器，樣品溫度可控制在 -160 ℃ 至 280 ℃ 之間。
測量芯片將用于測量導熱系數(shù)的 3ω 測量技術與用于確定電輸運性質的四點范德堡裝置相結合，塞貝克系數(shù)可以通過位于范德堡電極附近集成的電阻溫度計來測量。為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩?；蚪饘偈a罩。
這種配置允許對通過物理氣相沉積（PVD，例如熱蒸發(fā)、濺射、分子束外延）、化學氣相沉積（CVD，例如原子層沉積）、旋涂、滴鑄或噴墨打印等方法制備的樣品，在一步操作中幾乎同時進行表征。
該系統(tǒng)的一大優(yōu)勢在于能夠在一次測量過程中同時測定多種物理性質。所有的測量都是在相同的（面內）方向上進行的，因此具有很強的可比性。
- 基于芯片的測量裝置，配備集成且預先結構化的芯片作為耗材
- 對于不同的材料、厚度、電阻以及沉積方法具有高度的靈活性
- 高質量且易于使用的薄膜（nm 至 μm 范圍）表征系統(tǒng)
- 對于半導體、金屬、陶瓷和有機材料，在同一樣品上沿相同方向進行的單次測量過程中可完成所有特性參數(shù)的測量。
- 易于樣品制備和處理
- 寬廣的溫度范圍（-160 ℃ - 280 ℃）
| 類型 | TFA L59 | ||
| 溫度范圍： | RT - 280 °C -160 °C - 280 °C | 真空度： | 10E-4 mbar |
| 樣品厚度： | 5 nm - 25 μm（取決于樣品） | 電子設備： | 集成式 |
| 測量原理： | 基于芯片構造（預結構化的測量芯片，每盒 24 個） | 接口： | USB |
樣品制備方法： | 物理氣相沉積（濺射、汽化）、原子層沉積、旋涂、 噴墨打印等 | 導熱系數(shù)： | 0.05 - 200 W/(m?K) 3ω 法，熱帶法（面內測量） |
| 測量參數(shù)： | 導熱系數(shù) （3ω 法） 比熱容 | 電導率： | 0.05 - 1×106 S/cm Van der Pauw 四探針測量法 |
| 自選模塊： | 塞貝克系數(shù) / 電導率 / 電阻率 霍爾常數(shù) / 霍爾遷移率 / 電荷載流子密度 (電磁體（磁場強度）可達 1 T，永磁體（磁場強度）為 0.5 T) | 塞貝克系數(shù)： | 5 - 2500 μV/K |
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