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尊敬的各位同仁：您們好！根據(jù)國(guó)務(wù)院辦公廳《關(guān)于2025年部分節(jié)假日安排的通知》，國(guó)慶節(jié)與中秋節(jié)合并放假，現(xiàn)將具體調(diào)休安排公布如下：1、2025年10月1日至10月8日放假，共計(jì)八天；2、2025年9月
相親相愛(ài)一家人登科普瑞2025“相親相愛(ài)一家人”年度盛典拉開(kāi)帷幕。公司領(lǐng)導(dǎo)伍登青先生為大家作新年致辭?？隙舜蠹乙荒陙?lái)為公司做出的貢獻(xiàn)，同時(shí)也確立了來(lái)年的奮斗目標(biāo)。我們跟隨銷售部的腳步一起去了解銷售一
尊敬的各位同仁:您們好!根據(jù)國(guó)務(wù)院辦公廳通知，現(xiàn)將乙巳蛇年放假調(diào)休時(shí)間的具體安排公布如下：1、2025年1月28日至2月4日放假，共計(jì)八天；2、2025年1月27日、2月8日因調(diào)休正常上班；3、請(qǐng)各部
2024年國(guó)慶節(jié)放假通知十月處金秋，國(guó)慶迎歡騰。國(guó)慶節(jié)，讓我們放下心中的負(fù)擔(dān)，消滅心中的依戀，迎接這個(gè)特殊的日子，同祖國(guó)共同慶祝這個(gè)盛宴，愿祖國(guó)繁榮強(qiáng)盛的同時(shí)，也祝你生活繁花似錦。國(guó)慶節(jié)快樂(lè)。據(jù)國(guó)務(wù)院
尊敬的各位同仁:您們好!根據(jù)國(guó)務(wù)院辦公廳通知，現(xiàn)將2023年中秋節(jié)及國(guó)慶節(jié)放假調(diào)休時(shí)間的具體安排公布如下：1、2023年9月29日至10月6日放假，共計(jì)八天；2、2023年10月7日、10月8日上班；
正確校準(zhǔn)純水pH電極是確保測(cè)量準(zhǔn)確性的關(guān)鍵步驟，需從標(biāo)準(zhǔn)緩沖液選擇、操作流程及避坑指南三方面系統(tǒng)實(shí)施，具體如下：一、標(biāo)準(zhǔn)緩沖液選擇：匹配純水特性與測(cè)量范圍pH值覆蓋性純水pH通常在5.5-7.5之間，
在純水及超純水系統(tǒng)的pH監(jiān)測(cè)中，電極極易受到有機(jī)物污染。有機(jī)物（如細(xì)菌生物膜、腐殖酸、油污等）會(huì)附著在電極的敏感玻璃膜表面，形成絕緣層，導(dǎo)致響應(yīng)遲緩、測(cè)量漂移、讀數(shù)失準(zhǔn)，甚至損壞。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，在純
一、實(shí)驗(yàn)室高純水檢測(cè)場(chǎng)景使用要點(diǎn)：預(yù)處理與校準(zhǔn)：高純水電導(dǎo)率極低（快速測(cè)量與密封：測(cè)量時(shí)需將電極浸入樣品，避免空氣接觸，且單次測(cè)量時(shí)間控制在1分鐘內(nèi)，防止CO?滲透。測(cè)量后立即用純水沖洗并浸入保護(hù)液（
在純水或超純水（UPW）中測(cè)量pH值時(shí)，由于離子濃度極低，液接電位高且不穩(wěn)定，電極響應(yīng)遲緩。更棘手的問(wèn)題是，參比電極內(nèi)的KCl電解液通過(guò)液接界微量滲出后，在純水的快速蒸發(fā)下，會(huì)迅速形成白色的KCl結(jié)晶
校準(zhǔn)方法電極預(yù)處理新電極或長(zhǎng)期未使用的電極需在3mol/L溶液中浸泡24小時(shí)以激活，確保玻璃膜和液接界正常響應(yīng)。使用前用蒸餾水清洗電極，避免雜質(zhì)干擾。兩點(diǎn)校準(zhǔn)法第一點(diǎn)（中性緩沖液）：選擇pH6.86或
在當(dāng)今的環(huán)境監(jiān)測(cè)與水質(zhì)分析領(lǐng)域，水體中磷含量的檢測(cè)對(duì)于評(píng)估水質(zhì)狀況、預(yù)防水體富營(yíng)養(yǎng)化以及制定科學(xué)的管理措施具有至關(guān)重要的作用。SWAN磷表試劑憑借其高效、精準(zhǔn)的檢測(cè)能力，成為這一領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。檢測(cè)原
隨著工業(yè)化和城市化的快速發(fā)展，水資源的污染問(wèn)題日益嚴(yán)重，給生態(tài)環(huán)境和人類健康帶來(lái)了巨大威脅。為了有效監(jiān)測(cè)和保護(hù)水資源，水質(zhì)檢測(cè)技術(shù)顯得尤為重要。而SWAN磷表試劑作為一種高效的水質(zhì)監(jiān)測(cè)工具，以其性能和
一、失效分析微量溶解氧膜的失效通常源于材料老化、化學(xué)腐蝕、生物附著及物理?yè)p傷。在高溫環(huán)境下，膜材料的氧化反應(yīng)速率隨溫度每升高10℃提升2-3倍，導(dǎo)致聚硅氧烷膜在40℃時(shí)Si-O鍵斷裂速率是25℃時(shí)的2
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