比利時(shí)優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體
該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長(zhǎng)度決定。

比利時(shí)優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體

1、晶體習(xí)性與幾何描述：

   該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長(zhǎng)度決定。當(dāng)一個(gè)晶體屬于原生態(tài)晶體時(shí)，其當(dāng)量直徑為：

                     

  D ----外形尺寸當(dāng)量直徑

  W----鍺晶體重量

  L-----晶體長(zhǎng)度

  測(cè)量值是四舍五入小可達(dá)到毫米級(jí)別。為了便于訂單出貨，我們會(huì)依據(jù)晶體的體積、直徑和長(zhǎng)度進(jìn)行分類(lèi)。同時(shí)我們可以滿足客戶的特殊需求，提供定制服務(wù)。

      2、純度：殘留載荷

    大允許凈載流子雜質(zhì)濃度與探頭二極管的幾個(gè)構(gòu)造有關(guān)，請(qǐng)參照如列公式。其純度依據(jù)據(jù)霍爾效應(yīng)測(cè)量和計(jì)算。

        同軸探測(cè)器：同軸探測(cè)器適用于下列公式：

     

         N_max = 每立方厘米大雜質(zhì)含量

        VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

              εo = 介電常數(shù) = 8,85 10-14 F/cm

              εr = 相對(duì)介電常數(shù)(Ge) = 16

         q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)

         r1 = 探測(cè)器內(nèi)孔半徑

           r2 = 探測(cè)器外孔半徑

高純鍺HPGe晶體

      3、純度 ：              

         假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕，內(nèi)徑8毫米的內(nèi)孔半徑， 適用公式變?yōu)椋?           

       

     

     

        D = 晶體外表面            

         平面探測(cè)器：平面探測(cè)器（厚度小于2厘米）適用于以下公式：

       

          d=探測(cè)器外觀尺寸厚度

          徑向分散載荷子（值）

          遷移：霍爾遷移

      性能： P 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

         N 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

      能級(jí)： P 型晶體  通過(guò)深能瞬態(tài)測(cè)量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

      N 型晶體  通過(guò)深能瞬態(tài)測(cè)量點(diǎn)缺陷 < < 5*10⁸ cm^-3

           晶體主要指標(biāo)：                               P 型晶體               N 型晶體    

                                          錯(cuò)位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                          星型結(jié)構(gòu)             ≤ 3                       ≤ 3              

                                          鑲嵌結(jié)構(gòu)              ≤ 5                       ≤ 5     

比利時(shí)優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體         

      4、高純度高純鍺HPGe晶體

           說(shuō)明：