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VersaProbe 4

VersaProbe 4配置了全新設(shè)計的能量分析器，能夠?qū)崿F(xiàn)從微區(qū)到大面積的高靈敏度分析。同時還具備高精度的角度接受器、*的荷電中和技術(shù)以及多樣化的選配方案等特性，能夠提供極限深度分辨率。所有的這些特性都與最新的自動化技術(shù)相結(jié)合，使得VersaProbe 4能夠集高靈敏度、高可靠性和高可擴展性等優(yōu)勢于一體。

關(guān)鍵技術(shù)

• 從小面積到大面積的高靈敏度分析。

• 卓.越的深度剖析表現(xiàn)。

• *的自動電荷雙束中和技術(shù)。

• 自動化和遠程控制，提供靈活的工作環(huán)境。

• 多樣化的配置。

微聚焦的掃描X射線源

全新設(shè)計的高靈敏度和低噪音能量分析器

作為一種重要的表面分析方法，廣泛應用于固體材料表面的元素組分和化學態(tài)的研究，例如電池材料、催化劑、集成電路、半導體、金屬、聚合物、陶瓷和玻璃等，可滿足從研發(fā)到失效分析的廣泛分析需求。

采用了全新設(shè)計的高靈敏度分析器，靈敏度是上一代的2倍，具有更低的檢測限，能夠?qū)崿F(xiàn)從微區(qū)(<10>1 mm)的高靈敏度化學態(tài)分析。

*的微聚焦掃描X射線和 SXI影像，通過類似SEM的SXI影像可以作為樣品導航，實現(xiàn)100%精準地定義微區(qū)分析位置。

*SXI : 掃描X射線激發(fā)的二次電子影像

卓.越的深度剖析表現(xiàn)

使用微區(qū)XPS分析技術(shù)進行準確的深度剖析

VersaProbe 4的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了深度分析的卓.越性能。樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時實現(xiàn)高深度分辨率和高能量精度。

在不同起飛角（TOA）下獲得的10 nm SiO2/ Si薄膜的深度剖析結(jié)果。

*的自動電荷雙束中和技術(shù)

無需參數(shù)調(diào)整即可滿足任何絕緣樣品微區(qū)分析的荷電中和需求

VersaProbe 4配備了自動中和技術(shù)，無需分別對每個待測樣品進行中和參數(shù)調(diào)整。自動中和采用低能量電子束和低能量離子束的雙束同時中和的*技術(shù)，實現(xiàn)了簡單可靠的高效中和。

該技術(shù)適用于中和各種材料，配合操作軟件所提供的圖像配準功能，可為微區(qū)分析帶來無與.倫比的自動化操作體驗。對于無機/有機混合材料以及從微區(qū)到大面積的所有分析尺寸，均可以進行可靠且自動化的檢測分析。

微區(qū)特征的圖像配準功能。

自動化和遠程控制，提供靈活的工作環(huán)境

遠程訪問實現(xiàn)對儀器的遠程控制

VersaProbe 4允許通過公司的局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。一旦樣品被引入分析室，就可以使用Intro照片和SXI導航樣品，創(chuàng)建采集任務的自動隊列，并可遠程檢查測量狀態(tài)和分析數(shù)據(jù)。我們的專業(yè)人員可以對儀器進行遠程診斷。

多樣化的配置

• Ar團簇離子槍（Ar-GCIB）

• UPS（紫外光電子能譜）

• LEIPS（低能量反光電子能譜）配件

• 用于AES分析的掃描電子槍配件

• 專用REELS電子槍

• 可拓展的樣品進樣室

• 樣品傳送管

• 冷熱變溫樣品臺

• 4觸點冷熱變溫樣品臺

• 雙陽極X射線源

• C60離子槍

• 樣品預制備腔室