JKZC-DM系列探針臺(tái)是我司一款基于高校教育與實(shí)驗(yàn)室而研發(fā)的基礎(chǔ)型晶圓測試探針臺(tái)。其結(jié)構(gòu)緊湊，設(shè)計(jì)精密，價(jià)格實(shí)惠，配置靈活，高性價(jià)比。在高等院校教學(xué)和小型實(shí)驗(yàn)室科研過程中得到了廣泛運(yùn)用，配合對應(yīng)的儀器儀表，用于測試各類器件的IV、CV、l-t、V-t,光電信號(hào)，1/f噪聲測試，器件表征測試，RF射頻等。如果您的測試器件pad電極大于50um,此系列探針臺(tái)。
JKZC-DN系列探針臺(tái)是我司一款增強(qiáng)型晶圓測試探針臺(tái)，最大可完成12英寸晶圓的電學(xué)測試。此系列探針臺(tái)釆 用高剛性顯微鏡龍門結(jié)構(gòu)，顯微鏡可X-Y-Z方向進(jìn)行精密位移調(diào)節(jié)?？ūP具備上下調(diào)節(jié)功能,可以使探針與 樣品快速分離，提高測試效率，在科研單位和半導(dǎo)體工廠都得到了運(yùn)用，配合對應(yīng)的儀器儀表,可以完 成集成電路/芯片/MEMS器件/PCB元器件/材料器件的IV/CV特性測試/管芯晶圓LED/LCD/太陽能電池行業(yè)的測試。此系列探針臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)1μm以上的Pad電極測試。
JKZC-DH系列探針臺(tái)是一款綜合型晶圓測試探針臺(tái)，最大可完成12英寸晶圓的電學(xué)測試。此系列探針臺(tái)設(shè)備配 置十分豐富，不僅具備龍門架結(jié)構(gòu)和卡盤的升降功能，還具備探針臺(tái)卡盤快速移動(dòng)技術(shù)，可快速定位 樣品位置,提高測試效率。另外針座平臺(tái)具備三段式升降功能,在不失焦的情況下可以使樣品和探針做到 快速分離，同時(shí)也方便探針卡的使用。此設(shè)備在大型實(shí)驗(yàn)室或者半導(dǎo)體工廠得到廣泛運(yùn)用，配合對應(yīng)的儀器儀表，可以完成集成電路/芯片/MEMS器件/PCB元器件/材料器件的IV/CV特性測試/管芯晶圓/LED/LC- D/太陽能電池行業(yè)的測試。此系列探針臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)1μm以上的Pad電極測試,也可以實(shí)現(xiàn)搭載探針卡的測 試。
JKZC-DSH系列探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款雙面探針臺(tái)，最大可完成12英寸晶圓的正反面點(diǎn)針測試。在具備常 規(guī)探針臺(tái)的功能基礎(chǔ)上,可用于晶圓和PCB板的測試，對晶圓或者PCB板正面和背面同時(shí)扎針以實(shí)現(xiàn)各種 光/電性能測試需求的測試，或背面點(diǎn)針，正面收集光線等,運(yùn)用十分豐富。該定制探針臺(tái)具有優(yōu)良的機(jī)械系統(tǒng)，穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，符合人體工程學(xué)，以及多項(xiàng)升級功能。此設(shè)備在激光器,LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長測試等 方面得到了廣泛運(yùn)用。如果您的產(chǎn)品也有雙面點(diǎn)針,或者背面點(diǎn)針的需求，此款產(chǎn)品。
JKZC-UC系列探針臺(tái)是一款在非真空條件下實(shí)現(xiàn)低溫環(huán)境的測試探針臺(tái)。該產(chǎn)品釆用液氮或者空氣壓縮機(jī)制冷 ,自動(dòng)控溫，設(shè)備配置非常豐富。自帶屏蔽暗室，一方面可以屏蔽無線電磁干擾，另外一方面也可以保持氮?dú)庹龎涵h(huán)境下樣品在低溫時(shí)無結(jié)霜。此設(shè)備對于一些有溫度需求的測試，尤其是低溫，運(yùn)用非常廣泛。
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款在環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號(hào)的設(shè)備。可以實(shí)現(xiàn) 器件及材料表征的IV/CV特性測試，射頻測試，光電測試等。通過液氮或者壓縮機(jī)制冷，可以在防輻射屏內(nèi)營造一個(gè)穩(wěn)定的測試環(huán)境。在特殊材料，半導(dǎo)體器件等研究方向具有廣泛運(yùn)用。
極低溫測試:因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過程 泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測試:當(dāng)晶圓加熱至300°C,400°C,500°C甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越 高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
我公司還生產(chǎn)各種非標(biāo)準(zhǔn)探針臺(tái)。
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北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司 | 下載次數(shù) |
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