工作范圍在可見光、近紅外以及短波紅外的電子成像探測(cè)器生成的二維電子圖像在工業(yè)、國(guó)防、安全、科研、環(huán)保、醫(yī)療等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。工作范圍在VIS/NIR波段的成像探測(cè)器幾乎全部基于硅材料的技術(shù)：彩色或者單色制式的CCD、 CMOS. ICCD、EMCCD、EBAPS、sCMOS等。彩色VIS/NIR探測(cè)器的工作波段只局限于可見光波段而單色VIS/NIR探測(cè)器的工作波段則可以達(dá)到1000nm。
InGaAs成像探測(cè)器的工作范圍在SWIR波段：非制冷類型工作在900nm-1700nm；制冷類型工作在1000nm到約2200nm以及特殊的帶寬從600nm到1700nm。
由黑硅材料研制的成像探測(cè)器在紅外波段（可到1300nm或者更長(zhǎng)）具有更高的靈敏度，目前是市場(chǎng)上的新技術(shù)。
VIT測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)可擴(kuò)展的用于測(cè)試硅成像探測(cè)器、黑硅成像探測(cè)器以及InGaAs成像探測(cè)器的測(cè)試系統(tǒng)，支持硅/黑硅/InGaAs成像探測(cè)器所有重要參數(shù)的測(cè)試。