硅酸鎵鑭晶體（LGS晶體）是一種性能優(yōu)良的多功能晶體，具有很高損傷閾值的光學非線性材料。電光系數(shù)高，電光性能優(yōu)良，屬于三方晶系結構，熱膨脹系數(shù)較小，晶體的熱膨脹各向異性較弱，高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體)，具有的兩個獨立電光系數(shù)與BBO晶體的系數(shù)相當，電光系數(shù)值在很大的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定，該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質穩(wěn)定，具有非常好的綜合性能。
LGS晶體具有寬的透過波段，從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率。LGS 晶體采用提拉法生長，熔點是1470 ℃ ，在生長溫度至室溫沒有相變點，生長周期短，可以生長出較大尺寸晶體，有旋光性，但比石英小。
可應用于電光調(diào)制、電光調(diào)Q。LGS電光開關可用于高重復頻率，高輸出能量，應用范圍廣。