平面毒性 CO 氣體傳感器K2 型一氧化碳檢測用平面半導體氣敏元件采用優(yōu)良的平面厚膜生產(chǎn)工藝，由加熱器以及微型 Al2O3陶瓷基片上形成的金屬氧化物半導體材料構(gòu)成，用電極引線引出，封裝在金屬管座、管帽內(nèi)。采用高低溫循環(huán)檢測方式檢測一氧化（1.5V），高溫（5.0V）時清洗低溫時吸附的雜質(zhì)氣體。

平面毒性 CO 氣體傳感器概述

K2 型一氧化碳檢測用平面半導體氣敏元件采用優(yōu)良的平面厚膜生產(chǎn) 工藝，由加熱器以及微型 Al2O3陶瓷基片上形成的金屬氧化物半導體材料構(gòu) 成，用電極引線引出，封裝在金屬管座、管帽內(nèi)。采用高低溫循環(huán)檢測方式檢 測一氧化碳（1.5V），高溫（5.0V）時清洗低溫時吸附的雜質(zhì)氣體。傳感器 的電導率隨空氣中一氧化碳氣體濃度增加而增大，使用簡單的電路即可將電 導率的變化轉(zhuǎn)換為與該氣體濃度相對應的輸出信號。

平面毒性 CO 氣體傳感器特點

? 低功耗 

? 壽命長 

? 成本低 

? 體積小 

? 應用電路簡單

主要應用

? 家用一氧化碳泄漏檢測 

? 工業(yè)一氧化碳報警器 

? 便攜式一氧化碳檢測

規(guī)格參數(shù)

基本電路

外形尺寸

注意事項

1 必須避免的情況 

1.1 暴露于有機硅蒸氣中 如果傳感器的表面吸附了有機硅蒸氣，傳感器的敏感材料會被包裹住，抑制傳感器的敏 感性，并且不可恢復。傳感器要避免暴露其在硅粘接劑、發(fā)膠、硅橡膠、膩子或其它含硅塑 料添加劑可能存在 的地方。

1.2 高腐蝕性的環(huán)境 傳感器暴露在高濃度的腐蝕性氣體（如 H2S，SOX，Cl2，HCl 等）中，不僅會引起加熱材 料及傳感器引線的腐蝕或破壞，并會引起敏感材料性能發(fā)生不可逆的改變。 

1.3 堿、堿金屬鹽、鹵素的污染 傳感器被堿金屬尤其是鹽水噴霧污染后，及暴露在鹵素如氟中也會引起性能劣變。

1.4 接觸到水 濺上水或浸到水中會造成敏感特性下降。 

1.5 結(jié)冰 水在敏感元件表面結(jié)冰會導致敏感材料碎裂而喪失敏感特性。

1.6 施加電壓過高 如果給敏感元件或加熱器施加的電壓高于規(guī)定值，即使傳感器沒有受到物理損壞或破 壞，也會造成引線和/或加熱器損壞，并引起傳感器敏感特性下降。