在半導(dǎo)體與納米電子器件表征、晶體管的關(guān)態(tài)電流測(cè)量、高阻材料電阻率測(cè)量、納米器件的電學(xué)特性、掃描探針顯微鏡等實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)器件尺寸縮小到納米級(jí)別或材料非常薄時(shí),漏電流和待測(cè)電流本身就極其微小。在這個(gè)級(jí)別,實(shí)驗(yàn)者需要用到電流小于100fA的探針臺(tái)與各種噪聲和干擾作斗爭(zhēng),包括熱噪聲、約翰1遜噪聲、振動(dòng)噪聲,甚至空氣中分子電離產(chǎn)生的電荷。
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