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產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口	價(jià)格區(qū)間	5萬(wàn)-10萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,地礦,電子/電池,電氣,綜合

otsuka大塚電子 OPTM-A3 顯微薄膜厚度計(jì)

OP™（Optimum）是一款利用顯微光譜技術(shù)測(cè)量微觀區(qū)域絕對(duì)反射率的儀器，能夠高精度地分析薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)。它可以

無(wú)損、非接觸地測(cè)量各種薄膜、晶圓、光學(xué)材料等表面涂層和多層膜的厚度。其測(cè)量速度極快，每點(diǎn)測(cè)量?jī)H需1秒。此外，它還配備了配套軟件，即使是初學(xué)者也能輕松分析光學(xué)常數(shù)。

特征

所有薄膜厚度測(cè)量所需的功能都集成在主機(jī)中。

利用顯微光譜技術(shù)進(jìn)行高精度絕對(duì)反射率測(cè)量（多層膜厚度、光學(xué)常數(shù)）

高速測(cè)量，每點(diǎn)測(cè)量時(shí)間僅需1秒

可在顯微鏡下實(shí)現(xiàn)寬測(cè)量波長(zhǎng)范圍（紫外到近紅外）的光學(xué)系統(tǒng)

區(qū)域傳感器安全機(jī)制

簡(jiǎn)易的分析向?qū)В词故浅鯇W(xué)者也能輕松分析光學(xué)常數(shù)

配備宏功能，可自定義測(cè)量序列

也可以分析復(fù)雜的光學(xué)常數(shù)（多點(diǎn)分析法）。

兼容300mm舞臺(tái)

支持多種自定義選項(xiàng)

規(guī)格

類(lèi)型OPTM-A1OPTM-A2OPTM-A3

波長(zhǎng)范圍230至800納米360至1100納米900至1600納米

薄膜厚度范圍*11納米至35微米7納米至49微米16納米至92微米

樣本量*2 尺寸 200 x 200 x 17 毫米

斑點(diǎn)直徑φ5、φ10、φ20、φ40 微米

*以上規(guī)格包含自動(dòng)XY平臺(tái)。

*1 薄膜厚度范圍按SiO2計(jì)算。

*2 有關(guān) 300 毫米平臺(tái)的問(wèn)題，

類(lèi)型自動(dòng)XY平臺(tái)類(lèi)型固定框架類(lèi)型內(nèi)置式頭部

尺寸

（寬 x 深 x 高）556×566×618 毫米368×468×491毫米210×441×474 毫米

90×250×190 毫米*

重量66公斤38公斤23公斤

4公斤*

最大功耗交流100V±10V 500VA交流100V±10V 400VA

*交流/直流電源單元

測(cè)量項(xiàng)目

反射率測(cè)量

薄膜厚度分析

光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光系數(shù)）

SiO?SiN薄膜厚度測(cè)量

半導(dǎo)體晶體管通過(guò)控制電流來(lái)傳輸信號(hào)，但為了防止電流泄漏或另一個(gè)晶體管的電流流經(jīng)意外路徑，晶體管之間嵌入了一層絕緣膜。二氧化硅 (SiO2) 和氮化硅 (SiN) 常用作絕緣膜。SiO2用作絕緣膜，而 SiN 則用作介電常數(shù)高于 SiO2 的絕緣膜，或者在采用化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 去除多余的 SiO2 時(shí)作為阻擋層，之后 SiN 也會(huì)被去除。因此，必須測(cè)量這些薄膜的厚度，以評(píng)估其作為絕緣膜的性能并實(shí)現(xiàn)精確的工藝控制。