通常情況下，蝕刻液由硫酸和*配制而成。任何金屬雜質(zhì)的引入都將會對IC器件的可靠性產(chǎn)生不利影響，因此需要使用的硫酸具有高純度和高質(zhì)量。由于具有快速測定各種工藝化學(xué)品中超痕量濃度待測元素的能力，電感耦合等離子體質(zhì)譜儀已成為了質(zhì)量控制*的分析工具。然而，在傳統(tǒng)的等離子體條件下，往往存在氬離子與基質(zhì)成分結(jié)合產(chǎn)生多原子干擾的情況。
本應(yīng)用報告使用了NexION 300 ICP-MS去除干擾，從而在使用高溫等離子體的條件下通過一次分析就能夠?qū)2SO4中全部痕量水平的雜質(zhì)元素進(jìn)行測定的能力。
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