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登載AFM,M91快速霍爾模塊實(shí)現(xiàn)載流子遷移率精準(zhǔn)表征!

來(lái)源:清砥量子科學(xué)儀器(北京)有限公司    2025年09月28日 13:00  

膠體量子點(diǎn)(quantum dots, QDs)具有色純度高、波長(zhǎng)可調(diào)控、發(fā)光效率優(yōu)異、溶液可加工等優(yōu)點(diǎn),有利于量子點(diǎn)發(fā)光二極管(quantum dot light emitting diode, QLED)在低成本、柔性、大面積顯示和固態(tài)照明等領(lǐng)域的應(yīng)用。目前,由于幾個(gè)關(guān)鍵因素,包括強(qiáng)約束的大尺寸量子點(diǎn)的發(fā)展,頂發(fā)射器件架構(gòu)的引入,和優(yōu)化載流子傳輸層材料以提高效率和電荷平衡等, QLED效率的最新研究進(jìn)展是顯著的。盡管滿足了顯示應(yīng)用的基本效率指標(biāo),但QLED在顯示器中的實(shí)際應(yīng)用仍然面臨著重大挑戰(zhàn)。

 

在QLED中,常用的空穴注入層(HIL)是聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT:PSS),它在紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)射器件中顯示出超過(guò)20%的高外部量子效率(EQEs)。然而,PEDOT:PSS HIL也存在下述問(wèn)題制約其應(yīng)用潛力。1)質(zhì)量差的噴墨印刷膜:水溶劑的高表面張力,加上其蒸氣壓低,經(jīng)常導(dǎo)致液態(tài)亞層收縮,最終導(dǎo)致“咖啡環(huán)”現(xiàn)象的表現(xiàn)。2)酸性表面:PEDOT:PSS中存在活性質(zhì)子,在電應(yīng)力或長(zhǎng)期儲(chǔ)存過(guò)程中容易擴(kuò)散到量子點(diǎn)層,不利于器件的效率和穩(wěn)定性。3)器件降解:PEDOT:PSS的吸濕性有利于吸收環(huán)境水分,最終在老化過(guò)程中導(dǎo)致功能層降解。4)團(tuán)聚:PEDOT:PSS很容易在溶液中聚集,使其難以存儲(chǔ),處理和處理。

 

基于上述問(wèn)題,澳門大學(xué)王雙鵬、Kar Wei Ng和南方科技大學(xué)陳樹明&深圳職業(yè)技術(shù)大學(xué)Zhen Yin等人從研究金屬在器件內(nèi)的擴(kuò)散機(jī)制開始。QLED在工作過(guò)程中退化的原因是PEDOT:PSS對(duì)ITO的腐蝕,導(dǎo)致In離子的滲入,最終造成QD發(fā)光的猝滅。用[4-(3,6-二溴- 9h -咔唑-9-基)丁基]膦酸(2BrCzPA)取代PEDOT:PSS,使SAM分子在ITO襯底上有序排列,有效地降低了光學(xué)損耗,提高了功函數(shù)(WF)。結(jié)果,綠色QLED的最大EQE從11.63%提高到15.28%。此外,基于ITO/SAM的藍(lán)色和紅色QLED在22640和9147 nit的亮度水平下分別獲得了12.63%和14.83%的高EQEs。采用2BrCzPA的器件表現(xiàn)出更大的穩(wěn)定性,即使在較高的應(yīng)用偏壓下,操作時(shí)間也超過(guò)一個(gè)月。該成果以《Efficient Hole Injection From Indium Tin Oxide in Quantum-Dot Light-Emitting Diodes》為題發(fā)表在Advanced Functional Materials[1]

 

 

 

登載AFM,M91快速霍爾模塊實(shí)現(xiàn)載流子遷移率精準(zhǔn)表征!

圖1 a)基于2BrCzPA處理的ITO的QLED器件結(jié)構(gòu)示意圖,以及2BrCzPA的分子結(jié)構(gòu)。b,c)      2BrCzPA處理的ITO的XPS光譜。d) ITO、2BrCzPA和ITO/2BrCzPA的工作函數(shù)。(e) 2BrCzPA處理的ITO在空穴注入/傳輸界面處能級(jí)分布的示意圖(處理前與處理后)。

 

本文中,作者通過(guò)美國(guó)低溫設(shè)備制造商Lake Shore Cryotronics, Ltd.的M91快速霍爾測(cè)量模塊對(duì)載體的遷移率進(jìn)行了表征。在室溫條件下, 未經(jīng)修飾的ITO(氧化銦錫)載流子遷移率約為27 cm²V?¹s?¹,而基于2BrCzPA 處理的ITO的載流子遷移率約為5 cm²V?¹s?¹。這一數(shù)據(jù)清晰體現(xiàn)出2BrCzPA SAM 修飾對(duì) ITO 襯底電學(xué)性能的調(diào)控作用。作為專為低遷移率材料測(cè)試設(shè)計(jì)的專業(yè)設(shè)備,M91模塊不僅保障了本研究中未經(jīng)修飾的ITO與 ITO/2BrCzPA SAM 載流子遷移率數(shù)據(jù)的真實(shí)性與可信度,更為深入分析 2BrCzPA 優(yōu)化 QLED 空穴注入性能的作用機(jī)制,奠定了堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。

 

Lake Shore 作為美國(guó)低溫設(shè)備制造商,研發(fā)推出的全新霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng),可根據(jù)測(cè)試需求,搭載其自主研發(fā)的采用交直流模式測(cè)量的新一代多通道高精度低噪聲綜合電學(xué)測(cè)量模塊M81-SSM或采用自研快速霍爾技術(shù)的M91快速霍爾測(cè)試模塊,有效實(shí)現(xiàn)測(cè)量速度和精度的雙重提升。

 

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搭載M81/M91測(cè)量模塊的霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)

 

 

一、M81同步源測(cè)量模塊

 

基于M81同步源測(cè)量模塊的霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是LakeShore 8400系列霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)的全新升級(jí),噪聲改善提升了2倍。該模塊巧妙地結(jié)合了直流和交流場(chǎng)測(cè)量功能的優(yōu)點(diǎn),創(chuàng)新性的采用DC+AC的輸出方式,將遷移率測(cè)量范圍擴(kuò)展至 0.001 cm2/V s。該模塊針對(duì)小信號(hào)科學(xué)研究實(shí)驗(yàn)有更多優(yōu)化,測(cè)量更精準(zhǔn)。整個(gè)模塊一體化程度高,配置有信號(hào)激勵(lì)源、測(cè)量模塊和鎖相濾波的整體解決方案,無(wú)需多個(gè)儀表混合輸出,面板操作直觀,簡(jiǎn)單易上手。

 

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M81同步源測(cè)量模塊

 

二、M91快速霍爾測(cè)量模塊

 

 

 

全新一代M91快速霍爾測(cè)量模塊采用了Lakeshore 專利專利號(hào):9797965和10073151)的快速霍爾測(cè)量技術(shù),主要針對(duì)低遷移率材料諸如光伏材料(太陽(yáng)能電池材料)、熱電材料、有機(jī)材料等的測(cè)量。傳統(tǒng)測(cè)量模式下,DC無(wú)法測(cè)量低遷移率,而AC模式下耗時(shí)甚久,M91的快速霍爾技術(shù)有效解決了上述問(wèn)題。這一全新技術(shù)從根本上改變了霍爾效應(yīng)的測(cè)量方式,無(wú)需進(jìn)行磁場(chǎng)極性的切換,使得DC場(chǎng)下測(cè)量速度極快,在某些情況下可將分析時(shí)間縮短數(shù)十倍。大多數(shù)常用材料的測(cè)量在幾秒鐘內(nèi)即可完成分析。即使是極高電阻(高達(dá)200GΩ)或低遷移率(~0.001 cm2/V s)的樣品一般也能在幾分鐘內(nèi)完成。此外,在這項(xiàng)技術(shù)的加持下,M91快速霍爾測(cè)量模塊可以適配于各種類型的磁體(永磁體、電磁體、超導(dǎo)磁體)和系統(tǒng)使用,并且都有成熟的解決方案。

 

 

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M91快速測(cè)量模塊

 

M91測(cè)試模塊與傳統(tǒng)霍爾測(cè)試對(duì)比表

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三、多功能電磁體平臺(tái)

 

Lakeshore全新一代的霍爾效應(yīng)系統(tǒng)采用其自主研發(fā)生產(chǎn)的MCS-EMP電磁體平臺(tái)提供背景磁場(chǎng)。MCS-EMP多用途電磁鐵平臺(tái)提供了自動(dòng)化可變磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)所需的所有基本組件,包括兩種尺寸可選(4英寸/7英寸)的電磁體,兩種尺寸可選(2英寸/4英寸)的磁極帽和磁體底座、以及電磁體系統(tǒng)控制柜。根據(jù)需要,還可以選配光學(xué)接口。

 

 

 

電磁體系統(tǒng)控制柜中的各個(gè)組件也均由Lakeshore自主研發(fā)生產(chǎn),包括643/648型高可靠性線性磁體電源、F71型多軸高斯計(jì)和單軸磁場(chǎng)監(jiān)測(cè)探頭,以及功能強(qiáng)大的專用MeasureLINK-MCS操作軟件和儀器控制臺(tái)。

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四、樣品組件

 

樣品組件由樣品腔和樣品卡組成。樣品腔內(nèi)部設(shè)有高性能樣品插件,用于與樣品卡物理安裝和電氣連接。根據(jù)系統(tǒng)配置的不同,插件包括 8 個(gè)三軸連接器,用于為樣品提供保護(hù)信號(hào),以進(jìn)行電阻測(cè)量(最高可達(dá) 200 GΩ)。其圓形連接器包含溫度監(jiān)控導(dǎo)線、插入件標(biāo)識(shí)和安全聯(lián)鎖,確保了測(cè)試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

 

 

 

 

 

根據(jù)不同類型和尺寸的樣品,霍爾效應(yīng)系統(tǒng)同樣提供了不同類型樣品卡供選擇。根據(jù)類型不同分為探針式樣品卡和焊盤式樣品卡;根據(jù)尺寸不同有10 mm和50 mm兩種尺寸可選,50 mm只有探針式樣品卡。

 

 

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10mm探針樣品卡(左)、10mm焊盤式樣品卡(中)、50mm探針式樣品卡(右)

 

為了滿足角度測(cè)量需求,電磁體平臺(tái)同樣配備了樣品旋轉(zhuǎn)組件。EMP-HP-ROTATE 樣品旋轉(zhuǎn)選件為 MCS-EMP 電磁體平臺(tái)增加了0°至360°手動(dòng)樣品旋轉(zhuǎn)功能。該組件作為樣品腔的選件,也可以與變溫選件聯(lián)用。樣品旋轉(zhuǎn)組件適用于 10 毫米大小的樣品卡,不能與50mm尺寸的樣品卡使用。

 

 

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樣品旋轉(zhuǎn)組件

 

五、變溫選件

 

除了室溫測(cè)量外,MCS-EMP霍爾系統(tǒng)同樣提供高溫和低溫選件實(shí)現(xiàn)變溫測(cè)量。

低溫選件采用閉循環(huán)制冷機(jī)方式和低溫專用樣品卡實(shí)現(xiàn)10K-400K的變溫測(cè)量。

 

 

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使用閉循環(huán)制冷機(jī)的電磁體平臺(tái)和低溫專用樣品卡

 

高溫選件采用采用高溫爐選件和高溫專用樣品卡,可實(shí)現(xiàn)室溫到1273K的高溫測(cè)量。目前市面上的霍爾效應(yīng)系統(tǒng),只有搭配MCS-EMP電磁體平臺(tái)和高溫選件的霍爾效應(yīng)系統(tǒng)才能達(dá)到1273K的最高測(cè)量溫度

 

 

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使用高溫爐選件的電磁體平臺(tái)和高溫專用樣品卡

系統(tǒng)支持LakeShore的Janis恒溫器與電磁體聯(lián)用,實(shí)現(xiàn)高低溫一體化變溫的霍爾測(cè)量。


六、與其他磁體系統(tǒng)聯(lián)用

 

1. FastHall Station桌面級(jí)M91快速霍爾測(cè)試平臺(tái)

 

M91快速霍爾測(cè)量技術(shù),由于測(cè)量過(guò)程中磁極不需要反轉(zhuǎn),使得其可以有效適配于各種類型的磁體和系統(tǒng)。Lakeshore的桌面級(jí)M91快速霍爾測(cè)試平臺(tái)FastHall Station是由M91快速霍爾測(cè)量模塊與1.0T的永磁體組合使用進(jìn)行霍爾測(cè)量。它同時(shí)還有室溫和77K單點(diǎn)溫度選件可選。

 

 

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2. 與PPMS系統(tǒng)聯(lián)用

 

 

 

M81/M91快速測(cè)試模塊可以與Quantum Design的綜合物性測(cè)量系統(tǒng)(PPMS)進(jìn)行聯(lián)用,由PPMS提供變溫和磁場(chǎng)環(huán)境,M91完成霍爾測(cè)量。目前,PPMS的兩個(gè)型號(hào)DynaCool和VersaLab均有成熟的解決方案。

 

 

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M91 FastHall測(cè)試模塊與PPMS系統(tǒng)聯(lián)用

 

3.與其他磁體定制


除了現(xiàn)有的解決方案外,M91快速霍爾測(cè)量模塊也可以根據(jù)需求,與其他品牌的磁體和恒溫器或者客戶現(xiàn)有的磁場(chǎng)和溫度環(huán)境結(jié)合使用。如有上述定制化的使用需求,可以聯(lián)系我們溝通解決方案。

關(guān)于 Lake Shore Cryotronics, Ltd.

美國(guó)Lake Shore公司(www.lakeshore。。com)是的極端溫度和磁場(chǎng)條件下高精度測(cè)量和控制解決方案的創(chuàng)新者。主要產(chǎn)品包括低溫探針臺(tái)、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)、霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)、M81同步源測(cè)量系統(tǒng)、Janis系列低溫恒溫器、低溫控溫儀、低溫溫度傳感器、高斯計(jì)及霍爾傳感器等。Lake Shore公司一直致力于推動(dòng)科學(xué)發(fā)展,其產(chǎn)品解決方案不斷創(chuàng)新,應(yīng)用領(lǐng)域從物理實(shí)驗(yàn)室到深太空科學(xué)探索不斷發(fā)展。

 

參考文獻(xiàn):

[1]. P. Gao, J. Jiang, Y.-M. Song, M.-W. Wang, T. Ding, H. Liu, Z. Yin, K. W. Ng, S. Chen, S.-P. Wang, Efficient Hole Injection From Indium Tin Oxide in Quantum-Dot Light-Emitting Diodes. Adv. Funct. Mater. 2025, 2503467.

 

 

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