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那諾中國(guó)有限公司

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產(chǎn)品分類品牌分類

刻蝕系統(tǒng): RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) ICP及DRIE刻蝕系統(tǒng) IBE離子束刻蝕系統(tǒng) RIE-PE刻蝕機(jī)

沉積系統(tǒng): Parylene派瑞林真空鍍膜系統(tǒng) 進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī) TE熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) E-Beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 磁控濺射系統(tǒng) PECVD等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) PLD脈沖激光沉積

生長(zhǎng)系統(tǒng): MOCVD設(shè)備 ALD原子層沉積系統(tǒng) MOVPE設(shè)備

清洗去膠系統(tǒng): 等離子去膠清洗及灰化系統(tǒng) 單晶圓/掩模版兆聲清洗機(jī) 大基片清洗/去膠/濕法刻蝕 MW微波等離子清洗去膠系統(tǒng) 離子束清洗系統(tǒng) 研發(fā)用等離子去膠機(jī)

熱真空試驗(yàn)系統(tǒng): 熱真空試驗(yàn)箱熱真空環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備空間環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備熱真空系統(tǒng)

核心組件: Platens樣品臺(tái) 等離子體源

檢測(cè)系統(tǒng): 基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

量測(cè)系統(tǒng): 晶圓厚度測(cè)量?jī)x 接觸角測(cè)量?jī)x 薄膜曲率應(yīng)力測(cè)量?jī)x

晶圓加工設(shè)備: 晶圓劃片機(jī)

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淋浴頭氣流的平面ICP離子源應(yīng)用于ALD系統(tǒng)2017/9/14: 繼NANO-MASTER*技術(shù)的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應(yīng)用于NANO-MASTER的刻蝕系統(tǒng)，ICPECVD沉積系統(tǒng)，PA-MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)之后，該ICP離子源順利應(yīng)用于ALD系統(tǒng)。由于...

進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)的主要特點(diǎn)2016/3/29: 進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8"ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可...

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光學(xué)元件鍍膜機(jī)先進(jìn)的技術(shù)介紹2015/12/29: 鍍膜是用物理或化學(xué)的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。在可見(jiàn)光和紅外線波段范圍內(nèi)，大多數(shù)金屬的反射率都可達(dá)到78%~98%，但不可高于98%。無(wú)...

干法刻蝕技術(shù)2015/8/28: 干法刻蝕技術(shù)*，在芯片制造的過(guò)程中，硅片表面圖形的形成主要依靠光刻和刻蝕兩大模塊。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻膠圖形，刻蝕則緊接其后地將光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到襯底或襯底上的薄膜層上。隨著特征尺寸要...

微加工：材料刻蝕2015/8/6: Thispageintendstopresentthedifferentmajortechniquesusedinmicrofabricationtoetchamaterialsothatthelay...

微加工：材料沉積2015/7/31: Thispagetalkaboutthedifferentwaystodepositmaterialsinmicrotechnology(referedtowithbarbarianwordssuch...

微加工：光刻2015/7/31: Lithographyisthestepthatallowsthedefinitionofthepatternonthesubstrate:thankstoapolymerresist,ａndusin...

微加工：剝離2015/7/31: Lift-offprocessinmicrostructuringtechnologyisamethodofcreatingstructures(patterning)ofatargetmateria...

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