中村供應(yīng)：FUJIFILM/富士膠片i-Line光刻膠

富士膠片 OiR 620 是面向0.30μm 級(jí)關(guān)鍵層量產(chǎn)的gao端 i?Line（365nm）正性光刻膠，主打超高分辨率、寬工藝窗口、高產(chǎn)能適配，是成熟制程（0.35μm–0.30μm）的biao桿型號(hào)。

中村供應(yīng)：FUJIFILM/富士膠片i-Line光刻膠

一、核心技術(shù)參數(shù)

• 適用波長(zhǎng)：i?Line（365nm）

• 分辨率：常規(guī)照明 <0.28μm；環(huán)形照明可縮至 0.25μm

• 曝光靈敏度：220 mJ/cm2

• 焦深（DOF）：

• 0.35μm L/S：>1.2μm（常規(guī)照明）

• 0.30μm L/S：>1.0μm（常規(guī)照明）

• 顯影適配：標(biāo)準(zhǔn) 0.262N TMAH 顯影液（含 / 不含表面活性劑）

• 體系：酚醛樹脂 + DNQ 感光劑，EL/EEP 環(huán)保溶劑

• 定位：非反射襯底專用、關(guān)鍵層量產(chǎn)型

二、核心特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

1. 超高分辨率，滿足 0.30μm 量產(chǎn)

• 常規(guī)照明即可實(shí)現(xiàn) <0.28μm 線寬，環(huán)形照明可至 0.25μm，覆蓋 0.35μm–0.30μm 關(guān)鍵層。

• 基于zhuan利酚醛樹脂與 PAC 技術(shù)，對(duì)比度高、側(cè)壁陡直、CD 均勻性優(yōu)異。

2. 寬工藝窗口，良率與產(chǎn)能雙優(yōu)

• 焦深（DOF）表現(xiàn)突出，對(duì)曝光劑量、焦距、顯影時(shí)間寬容度大，量產(chǎn)良率穩(wěn)定。

• 靈敏度適中（220 mJ/cm2），平衡分辨率與產(chǎn)能，適配高產(chǎn)量 i?Line 步進(jìn)機(jī)。

3. 環(huán)保溶劑體系，安全合規(guī)

• 采用EL/EEP 低毒溶劑，替代傳統(tǒng)高毒溶劑，符合環(huán)保與職業(yè)健康要求，降低工廠安全風(fēng)險(xiǎn)。

4. 工藝兼容性強(qiáng)，易集成

• wan美適配標(biāo)準(zhǔn) 0.262N TMAH 顯影液與成熟 i?Line 光刻流程，無需設(shè)備改造。

• 與有機(jī)底部抗反射涂層（BARC）兼容，抑制駐波效應(yīng)，提升圖案精度。

5. 非反射襯底專用，性能ji致

• 專為氧化層、氮化層、多晶硅等非反射表面優(yōu)化，避免反射干擾，圖案保真度高。

• 黏附性、抗刻蝕性、耐熱性均衡，適配干法 / 濕法刻蝕與離子注入工藝。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 邏輯 / 模擬 IC：0.35μm–0.30μm 柵極、接觸孔、金屬互連

• 電源管理 IC（PMIC）：高壓 / 功率器件關(guān)鍵層光刻

• MCU / 傳感器：汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子芯片

• 顯示驅(qū)動(dòng) IC：LCD/OLED 驅(qū)動(dòng)芯片

• 分立器件：MOSFET、IGBT、二極管等功率器件

四、選型與使用要點(diǎn)

• ? 適配：0.35μm–0.30μm 關(guān)鍵層、非反射襯底、高良率量產(chǎn)、i?Line 步進(jìn)機(jī)

• ?? 注意：不適合強(qiáng)反射襯底（如鋁、銅金屬層），此類場(chǎng)景推薦 OiR 674 系列

• ? 不適用：>0.35μm 非關(guān)鍵層（性價(jià)比低）、<0.25μm xian進(jìn)制程（需 KrF/ArF）