一、產(chǎn)品概述

LTS-I 系列紅外干涉測厚傳感器是專為半導(dǎo)體、先進封裝及化合物半導(dǎo)體等高精度制造領(lǐng)域打造的專業(yè)測厚設(shè)備，通過 “高精度探頭 + 高性能控制器” 的組合（適配 LTS-IRP-D20 測距型探頭、LTS-IRP-T50 測厚型探頭，搭配 LTS-IRC5400-S 控制器），實現(xiàn)從 “納米級精度檢測” 到 “高速在線全檢” 的全場景覆蓋。產(chǎn)品以 “零接觸、高穩(wěn)定、強適配” 為核心特性，可精準應(yīng)對超薄晶圓、多層半導(dǎo)體材料及先進封裝組件的厚度測量需求，為產(chǎn)線工藝監(jiān)控、良率提升及成本控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

二、核心技術(shù)突破：奠定納米級測量實力

LTS-I 系列的核心競爭力源于多項關(guān)鍵技術(shù)的集成創(chuàng)新，從光源、光學(xué)設(shè)計到信號處理全鏈路優(yōu)化，確保測量精度與穩(wěn)定性：

1. 高精度光學(xué)系統(tǒng)：源頭保障測量質(zhì)量
   采用SLD 超輻射二極管作為光源，配合高數(shù)值孔徑物鏡，可聚焦出 Φ20μm 的微小光斑（測厚型探頭為參考距離處光斑直徑，測距型探頭為量程中心光斑直徑），同時控制 ±2° 的精準測量角度，有效減少雜光干擾，確保光線聚焦于被測層，為后續(xù)信號采集提供高質(zhì)量基礎(chǔ)。

2. 專有信號解調(diào)技術(shù)：抑制噪聲，提升數(shù)據(jù)可靠性
   搭載專有傅里葉變換相位解調(diào)技術(shù)，可高效分離有效測量信號與環(huán)境噪聲，即使在工業(yè)產(chǎn)線復(fù)雜環(huán)境下，仍能保持穩(wěn)定的測量輸出；同時突破傳統(tǒng)分光干涉測量技術(shù)的局限，將測量精度推向納米級，滿足半導(dǎo)體制造對 “超精密檢測” 的嚴苛要求。

3. 高速數(shù)據(jù)處理單元：匹配產(chǎn)線節(jié)奏
   內(nèi)置高速 FPGA 數(shù)據(jù)處理單元，實現(xiàn)單點測量<25 微秒的極速響應(yīng)，采樣頻率最高可達 40kHz，支持全檢模式。該單元可實時同步產(chǎn)線節(jié)拍，避免 “測量滯后導(dǎo)致批量不良” 的問題，為工藝實時反饋與調(diào)整提供核心算力支撐。

三、關(guān)鍵性能參數(shù)：精準與穩(wěn)定的量化保障

LTS-I 系列的性能優(yōu)勢通過明確的參數(shù)指標落地，覆蓋精度、量程、環(huán)境適應(yīng)性等核心維度，確保在工業(yè)場景中持續(xù)可靠運行：

四、核心功能優(yōu)勢：直擊制造痛點，提升產(chǎn)線價值

1. 多層材料精準測量：適配多元半導(dǎo)體基材

針對半導(dǎo)體制造中常見的硅、碳化硅、砷化鎵等多層材料，LTS-I 系列通過 “優(yōu)化紅外光譜選擇 + 分層信號算法分離” 技術(shù)，可一鍵式完成多層結(jié)構(gòu)的厚度分析，精準識別各層界面并測量整體晶圓厚度，無需手動調(diào)整參數(shù)，避免多層疊加導(dǎo)致的測量偏差。

2. 零接觸測量：保護高價值器件

采用 “Zero Contact, Zero Damage” 設(shè)計，完quan避免傳統(tǒng)接觸式測頭對晶圓表面的劃傷風(fēng)險。這一特性對超薄 wafer（厚度微米級）、先進封裝組件（如倒裝芯片）及化合物半導(dǎo)體至關(guān)重要，可有效減少因檢測環(huán)節(jié)導(dǎo)致的器件報廢，保護高價值產(chǎn)品。

3. 高速在線全檢：實時監(jiān)控工藝，杜絕批量不良

憑借<25 微秒的單點測量速度與 40kHz 的高采樣頻率，LTS-I 系列可融入產(chǎn)線實現(xiàn)全檢，而非傳統(tǒng)抽樣檢測。結(jié)合實時數(shù)據(jù)反饋功能，能快速發(fā)現(xiàn)研磨、拋光、外延等制程后的厚度偏差，立即觸發(fā)工藝參數(shù)調(diào)整，從源頭杜絕 “批量性不良品”，避免數(shù)千美元 / 片的晶圓報廢損失。

4. 工藝控制深度集成：助力 APC 系統(tǒng)優(yōu)化

在 CMP（化學(xué)機械拋光）減薄等關(guān)鍵制程中，LTS-I 系列可實時監(jiān)控厚度變化與均勻性，向產(chǎn)線 APC（先進過程控制）系統(tǒng)提供高頻、高可靠性的測量數(shù)據(jù)，精準控制減薄終點，減少 “過薄” 或 “未達標” 情況，顯著提升產(chǎn)品一致性。

五、典型應(yīng)用場景：覆蓋半導(dǎo)體制造全鏈路

LTS-I 系列的適配性貫穿半導(dǎo)體制造從前端制程到先進封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具體應(yīng)用包括：

• 研磨 / 拋光后檢測

  ：制程后即時測量晶圓厚度，快速修正研磨參數(shù)，避免后續(xù)制程因厚度偏差導(dǎo)致的連鎖問題；

• 外延制程監(jiān)控

  ：實時測量外延層（如硅外延、砷化鎵外延）厚度，確保外延生長速率與目標一致；

• CMP 減薄工藝控制

  ：精準捕捉減薄過程中的厚度變化，為 APC 系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)輸入，實現(xiàn) “毫米級到微米級” 的精確減薄終點控制；

• 先進封裝測量

  ：適配硅通孔（TSV）、玻璃基板、復(fù)合半導(dǎo)體等新興封裝技術(shù)，完成厚度與形貌的雙重檢測，助力客戶攻克前沿封裝難題。

六、產(chǎn)品價值總結(jié)：從 “精度” 到 “效益” 的全面提升

LTS-I 系列紅外干涉測厚傳感器不僅是 “高精度測量工具”，更是半導(dǎo)體產(chǎn)線的 “良率守護者” 與 “工藝優(yōu)化伙伴”：

1. 良率提升

   ：通過實時檢測與工藝調(diào)整，減少因厚度偏差導(dǎo)致的高價值晶圓報廢，直接提升產(chǎn)線良率；

2. 成本節(jié)約

   ：全檢替代抽樣檢測，避免 “漏檢導(dǎo)致的批量返工”，同時零接觸設(shè)計減少器件損傷成本；

3. 技術(shù)前瞻性

   ：支持碳化硅、先進封裝等新興領(lǐng)域，幫助客戶提前布局下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)；

4. 易用性與集成性

   ：豐富的工業(yè)接口與二次開發(fā)包，可快速融入現(xiàn)有產(chǎn)線，降低部署成本。

綜上，LTS-I 系列紅外干涉測厚傳感器以 “納米級精度、高速在線能力、零接觸保護” 為核心，完mei適配半導(dǎo)體制造對 “高精度、高效率、高可靠性” 的需求，是高精度制造企業(yè)實現(xiàn)工藝升級、提升核心競爭力的理想選擇。