干法刻蝕和濕法刻蝕的核心區(qū)別在于工藝原理、刻蝕特性及應(yīng)用場(chǎng)景:?干法刻蝕利用等離子體或氣相反應(yīng)實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕,精度高但成本高;濕法刻蝕依賴液態(tài)化學(xué)溶液實(shí)現(xiàn)各向同性刻蝕,成本低但精度差?,兩者在半導(dǎo)體制造中互補(bǔ)使用。??
優(yōu)缺點(diǎn)分析
?干法刻蝕優(yōu)勢(shì)?:
1、高精度與方向性,適合深寬比結(jié)構(gòu)(如DRAM存儲(chǔ)器的電容溝槽)。??
2、片內(nèi)均勻性好,潔凈度高,無液體殘留。???
干法刻蝕劣勢(shì)?:
1、對(duì)下層材料選擇比低,可能造成晶格損傷。??
2、設(shè)備投資大,工藝參數(shù)調(diào)控復(fù)雜。???
濕法刻蝕優(yōu)勢(shì)?:
1、成本低、速率快,適合批量處理(如一次浸泡25片晶圓)。??
2、選擇比高(如對(duì)特定金屬腐蝕性強(qiáng)),操作簡(jiǎn)便。???
濕法刻蝕劣勢(shì)?:
1、圖形控制性差,無法用于xianjin制程(如<7nm)。??
2、廢液處理難題,安全性風(fēng)險(xiǎn)較高。??
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