簡(jiǎn)單易操作

PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗(yàn)，儀器高性能、全自動(dòng)化、簡(jiǎn)單易操作。 操作界面可在同一個(gè)屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級(jí)的多功能測(cè)試參數(shù)，同時(shí)保留諸如進(jìn)樣照片導(dǎo)航和 SXI 二次電子影 像精準(zhǔn)定位等功能。

簡(jiǎn)單友好的 用戶界面

PHI GENESIS 提供了

一個(gè)簡(jiǎn)單、直觀且易 于操作的用戶界面， 對(duì)于操作人員非常友 好，操作人員執(zhí)行簡(jiǎn) 單的設(shè)置操作即可完 成包括所有選配附件 在內(nèi)的自動(dòng)化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動(dòng)化分析， 涵蓋了從 LEIPS 測(cè)試導(dǎo)帶到 HAXPES 芯能級(jí)激發(fā) 的全范圍技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言， PHI GENESIS 體現(xiàn)了好的性能價(jià)值。

全面的優(yōu)良解決方案 :

高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他 選配附件可以滿足所有表面分析需求。

多數(shù)量樣品大面積分析

- 多數(shù)量樣品大面積分析

- 把制備好樣品的樣品托放進(jìn)進(jìn)樣腔室后將自動(dòng)傳送進(jìn)分析腔室內(nèi)

- 可同時(shí)使用三個(gè)樣品托

- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品

- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復(fù)雜等各種各樣的樣品

獨(dú)1無(wú)2的可聚焦≤5μm 的微區(qū) X 射線束斑

在 PHI GENESIS 中， 聚焦掃描 X 射線 源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用 二次電子影像可以進(jìn)行導(dǎo)航、精準(zhǔn)定位、多點(diǎn)多區(qū)域同時(shí)分析測(cè)試以及 深度剖析。

大幅提升的二次電子影像 （SXI）

二次電子影像（SXI）精準(zhǔn)定 位，保證了所見(jiàn)即所得。  5μmX 射線束斑為微區(qū) XPS 分析應(yīng)用提供了新的機(jī)遇。

快速深度剖析

PHI GENESIS 可實(shí)現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測(cè)器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系 統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)深度剖析，包括在同一個(gè)濺射刻蝕坑內(nèi)進(jìn)行多點(diǎn)同時(shí)分析。

高性能的深度剖析能力

( 下圖左 ) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。 ( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO 2 層轉(zhuǎn)移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO 2 層富 Li 界面由 氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨 XPS 分析

PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重

現(xiàn)的中和性能確保了對(duì)樣品角分辨分析的性 能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)角度的高分辨率和能量的高分辨率。

PHI GENESIS 多功能分析平臺(tái)在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用