您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)！ 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
當(dāng)前位置：深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司>>半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備>>5 刻蝕設(shè)備>> customized-12反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
| 參 考 價: | 面議 |
產(chǎn)品型號customized-12
品牌OXFORD/英國牛津
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所在地深圳市
更新時間：2025-06-05 07:21:16瀏覽次數(shù)：1515次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工儀器網(wǎng)1. 產(chǎn)品概述
可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應(yīng)性氣體的離子束，切斷保護膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。
2. 設(shè)備用途/原理
III-V族材料刻蝕工藝；
固體激光器 InP刻蝕；
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕；
射頻器件低損傷 GaN刻蝕；
類金剛石 （DLC） 沉積；
二氧化硅和石英刻蝕；
用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕。
 |
 |
 |
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，化工儀器網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
溫馨提示：為規(guī)避購買風(fēng)險，建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。
| 評價時間 | 類別 | 詳細(xì)內(nèi)容 | 評價者 | IP地址 |
化工儀器網(wǎng)