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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    PlasmaPro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 8:07:34 對(duì)比

  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:47:48 對(duì)比

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    提供大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案，LED工業(yè)要求高產(chǎn)量，高器件質(zhì)量和低購置成本。 PlasmaPro 1000更好地解決了這些需求。
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:39:32 對(duì)比

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國外 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:37:08 對(duì)比

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    PlasmaPro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開放式裝載系統(tǒng)?？?..
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國外 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:35:07 對(duì)比

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。PlasmaPro 100 ...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國外 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:33:35 對(duì)比

  • 電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積ICPCVD

    該ICPCVD工藝模塊設(shè)計(jì)用于在低生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板損傷。
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:29:37 對(duì)比

  • 單晶圓刻蝕系統(tǒng)

    憑借在蝕刻GaN，SiC和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，我們的技術(shù)既能夠滿足性價(jià)比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。PlasmaPro 100 Polaris單...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:27:42 對(duì)比

  • 電感耦合等離子體刻蝕

    PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/6 7:25:56 對(duì)比

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

    PlasmaPro 100 Nano用于生長1D / 2D納米材料和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過在線催化劑活...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 17:20:43 對(duì)比

  • 離子束沉積

    離子束沉積產(chǎn)品是因?yàn)樗鼈兡軌蛏a(chǎn)具有高質(zhì)量，致密和表面光滑的沉積薄膜。離子束技術(shù)提供了一種多樣的刻蝕和沉積的方法，并可在同一設(shè)備上實(shí)現(xiàn)， 因而提高系統(tǒng)的利用率。...
    型號(hào)： Ionfab 30... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 17:17:21 對(duì)比

  • 原子層刻蝕

    ALE是一種先進(jìn)的刻蝕技術(shù)，可以針對(duì)較淺的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行出色的深度控制。 隨著器件微結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，要達(dá)到器件的更高性能可以通過ALE技術(shù)所具有的精度來實(shí)現(xiàn)。在如...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 17:13:14 對(duì)比

  • 原子層沉積（ALD）

    FlexAL系統(tǒng)可提供遠(yuǎn)程等離子體原子層沉積（ALD），這為納米結(jié)構(gòu)和器件的工程設(shè)計(jì)提供了一系列新的靈活性和可行性。ALD產(chǎn)品家族涵蓋的系列設(shè)備可以滿足學(xué)術(shù)界、...
    型號(hào)： FlexAL 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 16:13:14 對(duì)比

  • ICPCVD

    PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)...
    型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 16:11:24 對(duì)比

  • 深硅刻蝕系統(tǒng)DEEP SI ETCH

    提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。
    型號(hào)： customize... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 7:27:22 對(duì)比

  • 離子束刻蝕系統(tǒng)IBE

    離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以...
    型號(hào)： Ionfab 30... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 7:25:11 對(duì)比

  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。
    型號(hào)： customize... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 7:21:16 對(duì)比

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模...
    型號(hào)： customize... 所在地：英國 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 7:19:25 對(duì)比
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