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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • 氣相分解金屬沾污收集（VPD）設(shè)備

    詳細(xì)介紹Seehund? A型氣相分解金屬沾污收集設(shè)備（VPD）是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導(dǎo)工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。由于目前的晶...
    型號： Seehund? ... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:37:25 對比

  • 8英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    詳細(xì)介紹Shale? A系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅...
    型號： Shale? A ... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:35:35 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    Shale? C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可實(shí)現(xiàn)低溫、...
    型號： Shale? C ... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:33:51 對比

  • 電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設(shè)備

    詳細(xì)介紹CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣...
    型號： Haasrode?... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:31:59 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備

    Pishow? D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供Si ...
    型號： Pishow? D... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:29:54 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

    詳細(xì)介紹ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)...
    型號： Pishow? A... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:28:05 對比

  • 8英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Kessel? Pishow? M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機(jī)臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內(nèi)8%，片間5...
    型號： Kessel? P... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:25:35 對比

  • 8英寸硅刻蝕設(shè)備

    Tebaank? Pishow? P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）以及傳輸模塊...
    型號： Tebaank? ... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:24:03 對比

  • 12英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Herent? Chimera? M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品， 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊（Al ...
    型號： Herent? C... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:22:06 對比

  • 12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備

    Herent? Chimera? A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmas...
    型號： Herent? C... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:19:45 對比

  • 8英寸離子束沉積（IBD）設(shè)備

    Ganister? A離子束沉積設(shè)備，是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用...
    型號： Ganister?... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:17:21 對比

  • 8英寸離子束塑形（IBS）設(shè)備

    Lorem? A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性...
    型號： Lorem? A ... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:15:45 對比

  • 12英寸離子束塑形（IBS) 設(shè)備

    Pangea?A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的...
    型號： Pangea? A... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:13:49 對比

  • 12英寸特種金屬膜層刻蝕設(shè)備

    LMEC-300? 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊層，例如磁存...
    型號： LMEC-300 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:11:35 對比
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