掃描隧道顯微鏡/NAP-STM（Scanning Tunneling Microscope, STM）是一種基于量子隧穿效應(yīng)的高分辨率表面分析儀器，能夠在原子尺度上直接觀測(cè)導(dǎo)電材料的表面形貌。

掃描隧道顯微鏡/NAP-STM技術(shù)指標(biāo)：

1.腔體結(jié)構(gòu)

1.1配置不銹鋼STM分析腔，配備離子泵、機(jī)械泵、真空規(guī)等泵抽系統(tǒng)，背景真空優(yōu)于1*10-9mbar

1.2配備不銹鋼快速進(jìn)樣室，配備泵抽系統(tǒng)，背景真空優(yōu)于5*10-8mbar

2.近常壓變溫掃描頭

2.1最大掃描范圍不小于1.0μmx1.0μm（T＞350K）

2.2X/Y方向的補(bǔ)償范圍：≥±750nm；Z方向?yàn)?plusmn;115nm

2.3氣壓工作范圍，不小于UHV-100mbar

2.4溫度控制范圍：UHV條件下，不小于220K-700K，10mbar壓力下，不小于RT-500K

2.5低溫下（150K< T）

2.6掃描頭機(jī)械穩(wěn)定性（針尖固定位置不動(dòng)，在恒壓恒流模式下，Z中噪音的峰峰值）：<5pm

2.7配備近常壓進(jìn)氣氣路

2.8配置溫度控制單元和樣品轉(zhuǎn)移機(jī)械手

3.STM控制器

3.1匹配前放增益1V/nA

3.2隧穿電流范圍：不小于0.01nA–50nA

3.3具有快速掃描功能，數(shù)據(jù)獲取速度：不低于1000000像素/秒

3.4配備配套軟件和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)一套

4.針尖刻蝕離子源

4.1用于針尖原位處理，離子能量范圍最大：不小于5keV

4.2離子束流（Ar氣）最大值：≥20μA