MBE 8000分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE 8000分子束外延系統(tǒng)旨在滿足高性能復(fù)合半導(dǎo)體器件日益增長(zhǎng)的需求。這種8×6'或4×8'固態(tài)源MBE系統(tǒng)，在超高真空環(huán)境中使用超純金屬，在設(shè)計(jì)、溫度均勻...
MBE 6000分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE 6000分子束外延系統(tǒng)是全球每個(gè)成功的大批量商家或內(nèi)部 epi 操作的核心。它是高通量和可重復(fù)性的MBE基準(zhǔn)?；顒?dòng)時(shí)間通常超過一年，這證明了反應(yīng)堆的穩(wěn)定...
MBE 49分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE 49分子束外延系統(tǒng)有四臺(tái)反應(yīng)器，專門用于沉積砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。這些行業(yè)前沿的機(jī)器容量為200毫米、150毫米、四片4英寸晶圓或五片3英寸晶...
MBE 412分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE 412分子束外延系統(tǒng)憑借全自動(dòng)樣品轉(zhuǎn)移、12源端口靈活性以及無論材料系統(tǒng)如何均可重復(fù)的晶圓制造質(zhì)量的epi，412設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。從基礎(chǔ)材料研究到設(shè)...
AIX G5 WW C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
AIX G5 WW C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向6 英寸 SiC 功率器件量產(chǎn)的行星式 MOCVD 設(shè)備，主打高產(chǎn)能、高均勻性與低成本，是車規(guī)級(jí)碳化硅...
AIX 2800G4-TM CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
AIX 2800G4-TM CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向GaAs/InP 光電器件與射頻器件的量產(chǎn)型行星式 MOCVD 設(shè)備，主打高均勻性、高產(chǎn)能與低單片...
AIX G5+ C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
AIX G5+ C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一類專門用于制備化合物半導(dǎo)體材料的設(shè)備，這些材料通常由兩種或多種元素組成，如GaAs、GaN和SiC等。這些材...
G10-ASP CVD砷化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
G10-ASP CVD砷化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向GaAs/InP 基光電器件的全自動(dòng)高性能 MOCVD 設(shè)備，主打高均勻、低缺陷、高產(chǎn)能，專為Micro LE...
G10-GaN CVD氮化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
G10-GaN CVD氮化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向6/8 英寸 GaN 功率與射頻器件的新一代量產(chǎn)型 MOCVD 設(shè)備，高產(chǎn)能、高均勻性、低成本，專為新能源與 ...
G10-SiC CVD碳化硅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
G10-SiC CVD碳化硅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種專門用于生產(chǎn)碳化硅（SiC）材料的設(shè)備，它采用化學(xué)氣相沉積（CVD）或其他相關(guān)技術(shù)，在特定條件下將碳和硅元素以...
PD-3800L PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PD-3800L PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)。
PD-220NL PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PD-220NL PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非...
PD-2201LC PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PD-2201LC PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種盒式裝載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和...
PlasmaPro 80 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠...
PlasmaPro 100 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于在低生長(zhǎng)溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板...
PlasmaPro 100 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均...
PlasmaPro 80 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。
PlasmaPro 800 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 800 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用...
nano ANNEAL 真空退火系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano ANNEAL 真空退火系統(tǒng)針對(duì)二維材料和晶圓在受控氣氛下的熱處理進(jìn)行了優(yōu)化。基材面朝上支撐在舞臺(tái)頂板上，平臺(tái)中央置于一個(gè)不銹鋼高真空腔體內(nèi)，艙內(nèi)配備適...
nano Etch反應(yīng)離子（RIE）刻蝕系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano Etch反應(yīng)離子（RIE）刻蝕系統(tǒng)，專為石墨烯和2D材料的高精度加工設(shè)計(jì)。nanoETCH具備高精度射頻源和毫瓦級(jí)功率控制，能實(shí)現(xiàn)逐層刻蝕及層內(nèi)缺陷制...
nano CVD-8G化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano CVD-8G化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種石墨烯CVD系統(tǒng)，能夠精確控制壓力、溫度和氣體化學(xué)等條件，這對(duì)成功生產(chǎn)石墨烯至關(guān)重要。
MiniLab 090 PVD物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MiniLab 090 PVD物理氣相沉積系統(tǒng)兼容手套箱，適用于直徑達(dá)11英寸的亞態(tài)的環(huán)境敏感應(yīng)用。高腔室非常適合高效蒸發(fā)，但磁控管濺射也可用。
MiniLab 080 PVD物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MiniLab 080 PVD物理氣相沉積系統(tǒng)提供高密度腔體，非常適合熱、LTE和電子束蒸發(fā)技術(shù)，需要更長(zhǎng)的工作距離以實(shí)現(xiàn)最佳均勻性。
MiniLab 070 PVD物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MiniLab 070 PVD物理氣相沉積系統(tǒng)采用前置箱式腔室，針對(duì)直徑最大11英寸的亞態(tài)進(jìn)行磁控管濺射優(yōu)化。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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