AEH系列單片濕法刻蝕設(shè)備，以精準(zhǔn)化學(xué)刻蝕去除晶圓材料，具備高精度、低污染優(yōu)勢(shì)，適配 4-12 英寸晶圓，可用于優(yōu)良封裝、化合物半導(dǎo)體等多工藝場(chǎng)景。

設(shè)備配置  2-8 chambers(可選)
襯底材質(zhì)  Si、SiC、GaAs、InP
適用工藝  氧化硅/氮化硅刻蝕(SiOx/SiNx etch)、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化錫/氧化鋅(TO/GZo)等
工藝指標(biāo)  介質(zhì)刻蝕均勻性<5%、金屬刻蝕均勻性<5%、顆?？刂?≤10ea@0.2µm)
應(yīng)用領(lǐng)域  IC、功率器件、射頻集成、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研等
設(shè)備尺寸  2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)
AEH系列單片濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)特征：

· 可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝；