DWL 66+激光直寫光刻系統(tǒng)是高性價(jià)比、高分辨率的圖形發(fā)生器，適用于小批量掩膜版制作和直寫需求。DWL 66+激光直寫光刻系統(tǒng)具有多種選配模塊，如對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、不同波長(zhǎng)的激光發(fā)生器以及自動(dòng)上下板加載系統(tǒng)等，能夠滿足各種精度要求。它是生命科學(xué)、先進(jìn)封裝、MEMS、微光學(xué)、半導(dǎo)體等領(lǐng)域至關(guān)重要的光刻研究工具。

核心技術(shù)規(guī)格

核心技術(shù)規(guī)格涵蓋光源、分辨率、基板適配等多個(gè)關(guān)鍵維度，具體參數(shù)如下：

• 光源配置：提供兩種可選方案，405nm二極管激光器、375nm紫外二極管激光器。

• 分辨率表現(xiàn)：XR高分辨率模式可實(shí)現(xiàn)200nm最小特征尺寸，處于市場(chǎng)同類激光直寫系統(tǒng)先進(jìn)水平，滿足高精度微納結(jié)構(gòu)制造需求。

• 寫模式與灰度等級(jí)：配備6種寫模式，最小特征尺寸覆蓋200nm-4μm；支持65536級(jí)專業(yè)灰度模式，標(biāo)準(zhǔn)模式提供128級(jí)或32768級(jí)選擇，可精準(zhǔn)制造復(fù)雜2.5D微結(jié)構(gòu)。

• 基板兼容性：尺寸適配3×3mm2至9"×9"（支持定制更大尺寸），厚度0-12mm，無(wú)材質(zhì)限制，可穩(wěn)定處理平面及曲面基板；曝光面積達(dá)200×200mm2，滿足中大型樣品加工。

• 定位與對(duì)焦精度：采用干涉儀位置控制與實(shí)時(shí)光束位置校正相結(jié)合，高精度配置下第二層對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)350nm；自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)（光學(xué)或氣壓計(jì)），補(bǔ)償范圍80μm，適配透明或低反射率基板。

• 環(huán)境控制與運(yùn)行效率：集成層流箱，溫度穩(wěn)定性±0.1°C，營(yíng)造ISO 4級(jí)潔凈環(huán)境；6英寸晶圓10分鐘曝光，4μm模式+405nm激光下寫入速度2000mm2/min。

• 系統(tǒng)物理參數(shù)：光刻單元尺寸1300mm×1100mm×1950mm，重量1000kg，需配備專用安裝空間。